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BSP149 L6327 全國供應商、價格、PDF資料

BSP149 L6327詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：660mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 660mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 400µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP149 L6327詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：660mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 660mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 400µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP149 L6327詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：660mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 660mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 400µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：Digi-Reel®

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